viagra super force

+7(495) 123-XXXX  г. Москва

Выпуски журналов

  • Серия
  • Серия
  • Серия
  • Серия
  • Журнал
  • Журнал
  • Журнал
  • Журнал

В.В. Близнюк,  (К.т.н., доцент, НИУ «МЭИ»)

Н.В. Березовская,  (Аспирант, НИУ «МЭИ»)

В.А. Паршин,  (Студент, НИУ «МЭИ»)

А.Е. Тарасов,  (Ст. преподаватель, НИУ «МЭИ»)

Серия «Естественные и Технические науки» # ИЮЛЬ  2016

Лазерный диод
Разработан алгоритм определения режима генерации на фундаментальной моде путем сравнения измеренных и расчетных значений функции, описывающей диаграмму направленности, при трех значениях аргумента, связанных простыми соотношениями со значениями абсцисс точек перегиба гауссовой кривой. Показано, что эти соотношения полностью определяются углом расходимости излучения.

Ключевые слова: Лазерный диод, фундаментальная мода, диаграмма направленности излучения, ближняя зона поля, дальняя зона поля.

 

Введение

Среди лазерных диодов (далее – ЛД), нашедших широкое применение в различных оптико-электронных комплексах и системах, особое место занимают ЛД, работающие в одномодовом режиме генерации, под которым обычно подразумевают генерацию на фундаментальной моде.

Не останавливаясь на особенностях конструкций таких ЛД, отметим только, что в диаграмме направленности их излучения доминирует один лепесток, в котором сосредоточена практически вся энергия излучения. Нарушение одномодового режима генерации приводит к существенному ухудшению параметров как информационных, так и измерительных лазерных систем. Поэтому при  диагностике таких систем в ходе проведения пуско-наладочных и регламентных работ большое внимание уделяется анализу режима генерации ЛД.

Для определения режима генерации ЛД используется анализ нормированных угловых зависимостей интенсивности излучения ЛД в плоскости, перпендикулярной p-n-переходу (далее – вертикальной плоскости), и в плоскости p-n-перехода (далее – горизонтальной плоскости) [1–3]. Измерения проводят при разных уровнях мощности излучения. Если при возрастании мощности излучении ЛД нормированные угловые зависимости интенсивности излучения в вертикальной и горизонтальной плоскости не изменяются и возможна хорошая аппроксимация этих зависимостей гауссовой функцией, то принято считать, что имеет место генерация на основной моде [1–3]. Однако использование такой методики позволяет лишь качественно оценить модовую структуру излучения.

Строгое определение режима генерации ЛД на фундаментальной моде осуществляется путем измерений коэффициента распространения пучка М2. В случае сильно расходящегося излучения ЛД параметр М2 определяется по методике, изложенной в [1]. Авторы используют факторизованное представление поперечного распределения интенсивности в лазерном пучке: М2 = Мx∙Мy , где Мx и Мy – факторы для вертикальной и горизонтальной плоскостей соответственно, и полагают, что фактор Мx с хорошей степенью точности всегда равен единице. В таком случае ...

Читать полный текст статьи …


СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ:
1. Поповичев В.В., Давыдова Е.И., Мармалюк А.А., Симаков А.В., Успенский М.Б., Чельный А.А., Богатов А.П., Дракин А.Е., Плисюк С.А., Стратонников А.А. Мощные поперечно-одномодовые полупроводниковые лазеры с гребневой конструкцией оптического волновода // Квантовая электроника. 2002. Т.32, №12. С. 1099 - 1104.
2. Слипченко С.О., Винокуров Д.А., Пихтин Н.А., Соколова З.Н.,Станкевич А.Л., Тарасов И.С., Алферов Ж.И. Сверхнизкие внутренние оптические потери в квантово-размерных лазерных гетероструктурах раздельного ограничения // Физика и техника полупроводников. 2004. Т.38, вып.12. С. 1477 - 1486.
3. Давыдова Е.И., Ладугин М.А., Мармалюк А.А., Падалица А.А., Петровский А.В., Сухарев А.В., Успенский М.Б., Шишкин В.А. Мощные одномодовые лазерные диоды на основе гетероструктур InGaAs/AlGaAs, легированных углеродом // Квантовая электроника. 2009. Т.39, №1. С. 18 – 20.
4. Елисеев П.Г. Введение в физику инжекционных лазеров. М.: Наука, 1983. 295 с.
5. Bliznyuk V., Berezovskaya N., Parshin V., Tarasov A. Non-standardized measurement methods and measuring instruments for parameters and characteristics of laser diodes radiation and their standardization prospects // INTERNATIONAL ACADEMIC FORUM AMO – SPITSE – NESEFF (20 – 25 June 2016, Moscow – Smolensk): Proceedings of the International Academic Forum AMO – SPITSE - NESEFF. – Smolensk: Publishing “Universum”. – 2016. – P. 85 -86.
6. Thompson G.H.B. Physics of semiconductor laser devices // N.Y.: J. Wiley and Sons. 1980. P. 185 – 186.
7. Выгодский М.Я. Справочник по высшей математике. М.: АМО, 2006. 911 с.
8. Богатов А.П., Гущик Т.И., Дракин А.Е., Некрасов А.П., Поповичев В.В. Оптимизация волноводных параметров лазерных гетероструктур InGaAs/AlGaAs/GaAs с целью наибольшего увеличения ширины пучка в резонаторе и получения максимальной лазерной мощности // Квантовая электроника, 2008. Т.38, №10. С. 935 – 939.
 



© 
В.В. Близнюк, Н.В. Березовская, В.А. Паршин, А.Е. Тарасов, Журнал "Современная наука: актуальные проблемы теории и практики".
 

 

 

 
SCROLL TO TOP

 Rambler's Top100 @Mail.ru